班轮流，没日没夜地钻研光刻技术。

　　努力当然是有成效的，半年后，他们突破了28纳米的工艺，一年后，他们实现了20纳米的光刻工艺。

　　2016年6月，旻西科技从阿斯麦尔订购的28纳米光刻机终于交货。这就意味着，旻西科技可以自己研发14纳米的芯片工艺了。

　　不过公司并没有让在上海出差的工程师们立即回深圳，因为14纳米的工艺研发已经进入关键时刻。

　　10月30日，旻西召开了最新款手机旻西y5s的发布会，这比往年8月中旬的发布会迟了两个多月。

　　为什么会晚这么多？除了功能升级外，还有旻西和振中的工程师们合力突破了14纳米的芯片工艺的缘故。

　　振中实现了14纳米的芯片量产，而且良品率达到了91，这个良品率不算很高，但已经完全可以满足商用了。

　　振中突破了14纳米的芯片工艺，意味着

　　旻西芯片也突破了14纳米的芯片工艺。

　　但不管是振中还是旻西，都没有立即对外声称他们的芯片工艺达到了这个水平，振中对外声称的是芯片工艺突破了20纳米。

　　晏旻和蔺征西费了九牛二虎之力，才劝说胡耀伟接受了这个提议。

　　毕竟实现工艺突破的目的是为了什么？就是想让有需求的客户知道，他们能够生产这种精度的芯片，以吸引客户来他们这里下单，工厂才能赚到钱。

　　现在工艺突破了，却不让往外说，那不就等于把生意拒之门外嘛，胡耀伟一开始是拒绝的。

　　晏旻和蔺征西都认为目前并不是公布这个结果的好时机，他们给胡耀伟仔细分析了一下当前的产业环境，英特尔、台基电和三星都尚未实现更高精度的工艺突破，他们争抢14纳米的手机芯片订单已经进入了白热化阶段。

　　这个时候如果宣布振中已经实现了14纳米芯片的量产，能引来多少客户不好说，但绝对会招来无尽的麻烦。

　　不到三年时间就完成了从零基础到14纳米芯片工艺的突破，一个新生的芯片厂就有这样恐怖的潜力，英特尔、台基电、三星等都不会对振中坐视不理，趁早绞杀在摇篮中才是正途。

　　最直接的办法，就是掐断光刻机的供应，毕竟他们都是阿斯麦尔的股东，振中以后再也别想买到更高精度的光刻机。

　　为了让振中暂时不对外宣称14纳米的工艺突破，旻西允诺将自家14纳米的芯片都交给振中生产。

　　胡耀伟考虑了很久，最后答应下来这个提议。

　　事实上，他们宣称可以量产20纳米的芯片时，还是引起了业内的关注。旻西生产芯片那么多年了，至今的生产工艺还只有30纳米。

　　而一个之前从来没有芯片生产经验的工厂，在买了一台28纳米的光刻机后，用了两三年的时间，就实现了20

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